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目錄:北京韞茂科技有限公司>>實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>>等離子體表面處理>> QBT-A雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

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更新時(shí)間：2026-04-15 10:59:05瀏覽次數(shù)：1555評價(jià)

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別	國產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	100萬-150萬
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)是對ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

詳細(xì)介紹

    一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù)：

    價(jià)格區(qū)間：100萬-200萬

    產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）

    襯底尺寸：Ф200mm

    工藝溫度：RT-500±1ºC

    前驅(qū)體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體

    重量：300KG

    尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm

    均勻性：均一性<1%

    二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應(yīng)用原理分析：

    原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

    等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    三、北京韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-A，價(jià)格為100萬-200萬RMB，更多相關(guān)信息可咨詢，公司客服電話7*24小時(shí)為您服務(wù)。

    四、主要技術(shù)參數(shù)：

五、測試結(jié)果展示：

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