單腔型原子層沉積ALD系統(tǒng)基于經(jīng)典熱型原子層沉積技術(shù)，核心原理是通過交替脈沖通入前驅(qū)體與反應(yīng)氣體，利用表面自限制化學(xué)反應(yīng)實現(xiàn)單原子層級別的精確生長。單腔型原子層沉積ALD系統(tǒng)采用單腔橫流模式設(shè)計，既能讓前驅(qū)體與襯底表面充分接觸、反應(yīng)，又能通過高效吹掃（Purge）流程快速清除腔體內(nèi)殘余反應(yīng)物，從根源上保證沉積薄膜的高均勻性、高保形性，尤其適配三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)、高縱深比材料的涂層需求。
產(chǎn)品特點：                                                                                                      
• 高精度控制：全流程溫度控制精度達(dá) ±1℃，包括襯底加熱、管路加熱和前驅(qū)體容器加熱，確保工藝穩(wěn)定性
• 靈活配置：支持多種真空方案、前驅(qū)體類型和襯底尺寸，可選配臭氧發(fā)生器、粉末沉積盤、手套箱耦合、QCM 膜厚監(jiān)控等
• 高效工藝：提供快速模式、全暴露模式和多摻雜模式，支持 “一鍵沉積” 自動化操作                        
• 安全可靠：反應(yīng)腔自動充氣和過壓保護，真空系統(tǒng)配備熱阱防止前驅(qū)體污染，尾氣處理可選配