PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設(shè)備解決方案可提供精確的刻蝕控制，滿足GaN HEMT制造商的規(guī)格和性能要求。PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設(shè)備結(jié)合了針對GaN和AlGaN層優(yōu)化的全集成Etchpoint®刻蝕深度監(jiān)控解決方案，可為p-GaN HEMT和凹柵MISHEMT等器件提供低損傷刻蝕和平滑的表面，以及十分優(yōu)異的目標刻蝕深度精度。                                                

PlasmaPro 100 ALE和Etchpoint解決方案的主要優(yōu)點           

在同一腔室內(nèi)對GaN和AlGaN進行高速ICP和低損傷ALE加工，其中最大加工直徑可達200 mm

利用優(yōu)異的刻蝕一致性工藝，有助于提高器件和晶圓的產(chǎn)量            

刻蝕平臺已經(jīng)過生產(chǎn)驗證，并配備自動盒式處理機，可用于大批量生產(chǎn)，值得信賴            

紫外波長刻蝕點刻蝕深度監(jiān)控器是與LayTec共同開發(fā)的，并專門針對GaN和AlGaN刻蝕進行了優(yōu)化

刻蝕點終點檢測實現(xiàn)了優(yōu)異的刻蝕后剩余AlGaN厚度精度，為±0.5 nm

利用ALE加工可降低AlGaN和GaN表面粗糙度，并進一步提高GaN HEMT的性能