多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。被稱為“微電子大廈的基石”。

多晶硅，灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。目前，對硅材料中各種雜質進行檢測前通常采用酸溶法或堿熔法消解處理后才能進行雜質含量分析。在選用溶劑時一般要考慮被測元素能否迅速、*溶解。試樣處理過程中要考慮被測元素的揮發(fā)損失；被測元素是否會與其他被測組分生成不溶性物質；過量溶劑可能對分析結果產(chǎn)生的干擾(如污染和干擾效應等)；是否損傷容器。堿熔法基本使用*溶解樣品，產(chǎn)物硅酸鈉易水解形成硅酸難以消除基體硅對測定的影響，而且在光譜、質譜分析過程中容易堵塞炬管。

本文采用酸溶法溶解多晶硅樣品，探究一個適用于國內市場上所售多晶硅樣品有效的消解體系和消解手段。研究了消解中水、氫氟酸和硝酸的用量，比較了超聲助消解、水浴加熱助消解和微波助消解對消解效果的影響。

實驗部分

實驗儀器

電子分析天平

智能石墨消解儀（格丹納公司，D4）

超聲波清洗器

水浴鍋（格丹納公司）

微波消解儀（格丹納公司，A8）

電熱鼓風干燥箱

超純水機

• 高通量微波消解儀

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