霍爾效應的測量是研究半導體性質(zhì)的重要實驗方法。利用霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量,可以用來確定半導體的導電類型和 載流子濃度。通過測量霍爾系數(shù)與電導率隨溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能及遷移率的溫度系數(shù)等基本參數(shù)。本儀器采用現(xiàn)代電子技術(shù)和計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),對霍爾樣品在弱場條件下進行變溫霍爾系數(shù)和電導率的測量,來確定半導體材料的各種性質(zhì)。
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北京百萬電子科技中心
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