一、局放特征及原理

局部放電是指電氣設(shè)備在外部電壓作用下，其絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)部的氣隙、油膜區(qū)域或?qū)w邊緣位置所產(chǎn)生的非貫穿性放電現(xiàn)象。這類現(xiàn)象通常是由于設(shè)備絕緣本身存在薄弱環(huán)節(jié)，或是生產(chǎn)制造過程中形成的細(xì)微缺陷，在較高電場強(qiáng)度的作用下，出現(xiàn)反復(fù)擊穿與熄滅的過程。

局部放電的表現(xiàn)形式多樣，主要包括絕緣內(nèi)部氣體的擊穿、小范圍內(nèi)固體或液體介質(zhì)的局部擊穿，以及金屬表面邊緣、尖角等位置因電場強(qiáng)度集中而引發(fā)的局部擊穿放電等。該類放電所對應(yīng)的能量水平較低，短時存在一般不會對電氣設(shè)備的絕緣強(qiáng)度造成明顯影響。

但如果設(shè)備絕緣在長期運(yùn)行電壓下持續(xù)出現(xiàn)局部放電，這些微弱放電會產(chǎn)生相應(yīng)的累積效應(yīng)，使得絕緣的介電性能逐步劣化，同時促使局部缺陷不斷擴(kuò)展，最終可能導(dǎo)致整個絕緣結(jié)構(gòu)發(fā)生擊穿。

二、MOEORW-PD-F2 數(shù)字式局部放電檢測儀技術(shù)參數(shù)

1) 主采集單元

a) 接口

? 電源接品：12VDC（<6W）；

? 接口方式：PCIe；

? 輸入接口：電壓輸入信號,局放輸入信號。

b) 指示燈

? 1XLED；

? 常亮、閃爍（電源指示、通訊指示）。

c) 環(huán)境條件

? 工作及存儲溫度：-20-+70度；

? 濕度：＜90%。

d) 局放輸入*2

? 頻率范圍：2KHz-20MHz；

? 輸入阻抗：50Ω/120Ω；

? 電壓（max）：50V峰峰值；

? A/D：14bit,80MS/s；

? 動態(tài)量程：總共約84dB；

? 量程控制：X0.04,X1,X5,X25,X125,X250,X1250；

? 自噪聲小于50uV。

e) 電壓輸入*2

? 頻率范圍30Hz-10kHz；

? 輸入阻抗：1MΩ；

? 電壓（max）：50Vrms；

? A/D：24bit。

f) 方波輸出

? 輸出頻率：600Hz;

? 輸出波形：Tt≤60nS、100nS ＜Ts＜200nS；

? 輸出檔位±5pC/10pC/20pC/50pC/100pC/200pC/500pC/1000pC。