跨膜細(xì)胞電阻儀（TEER儀）核心原理是交流阻抗法+歐姆定律：通過向Transwell上下腔施加低頻微交流電，測量離子流穿過細(xì)胞單層的阻力，換算為TEER值（Ω?cm²），無創(chuàng)評估細(xì)胞屏障完整性與緊密連接功能。
一、基本概念與測量對象
測量對象：在Transwell多孔膜上形成的上皮/內(nèi)皮細(xì)胞單層（如腸道、血腦屏障模型）。
核心指標(biāo)：
TEER（跨膜電阻）：反映細(xì)胞間緊密連接的致密程度，值越高屏障越強(qiáng)。
PD（跨膜電位）：細(xì)胞兩側(cè)電位差，輔助判斷細(xì)胞極性與活性。
二、核心工作原理（交流阻抗測量）
系統(tǒng)構(gòu)成
主機(jī)：產(chǎn)生10μA恒定低頻交流（1kHz/12.5Hz），避免電極極化與細(xì)胞損傷。
四芯電極（雙極）：
一對電流電極：注入恒定交流電流，穿過細(xì)胞單層。
一對電壓電極：測量跨細(xì)胞層的電壓降（ΔV）。
物理原理（歐姆定律）
恒定電流I（10μA）→穿過細(xì)胞單層→測得電壓ΔV→計算電阻R=ΔV/I。
細(xì)胞完整：緊密連接封閉，離子（Na?/Cl?）難透過→R高。
細(xì)胞破損：連接松散/凋亡，離子易透過→R低。
交流技術(shù)關(guān)鍵（為何不用直流）
防極化：交流正負(fù)極快速反轉(zhuǎn)，避免電極表面金屬沉積與電荷累積。
護(hù)細(xì)胞：低電流/低電壓（μA級/mV級），無電化學(xué)損傷。
抗干擾：低頻（1kHz）避開膜電容干擾，讀數(shù)穩(wěn)定。
三、TEER值換算（扣除背景）
總電阻（R總）=細(xì)胞單層電阻（R細(xì)胞）+空白膜電阻（R空白）。
公式：TEER（Ω?cm²）=（R總−R空白）×有效膜面積。
示例：R總=1500Ω，R空白=300Ω，膜面積=0.33cm²→TEER=(1500−300)×0.33=396Ω·cm²。
四、測量流程（簡化）
校準(zhǔn)：用空白Transwell（無細(xì)胞）測R空白，保存為背景。
測量：電極分別插入上腔（細(xì)胞側(cè)）與下腔（基底側(cè)），確保不碰膜。
讀數(shù)：穩(wěn)定后記錄R總，儀器自動計算TEER值。
對比：實驗組與對照組TEER變化，評估藥物/炎癥對屏障的影響。
五、核心應(yīng)用邏輯
屏障功能評估：腸道/血腦屏障模型成熟度（TEER通常500–2000Ω·cm²）。
藥物篩選：藥物毒性（TEER下降）或增強(qiáng)屏障（TEER上升）效果。
病理機(jī)制：炎癥因子、病原體對細(xì)胞連接的破壞作用。
六、關(guān)鍵特點(diǎn)
無創(chuàng)實時：無需染色/標(biāo)記，可動態(tài)監(jiān)測數(shù)天。
精準(zhǔn)穩(wěn)定：分辨率1Ω，自動均值處理，數(shù)據(jù)可靠。
適配性強(qiáng)：兼容6/12/24/96孔Transwell與尤斯室。
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