光掩模是一種用于在半導(dǎo)體和液晶顯示器制造過(guò)程中將精細(xì)電路圖案轉(zhuǎn)移到基板上的母版。

根據(jù)制造工藝的不同，光學(xué)/深紫外光刻采用透射式掩模，極紫外光刻采用反射式掩模。深紫外光刻掩模由石英玻璃基板和鉻膜構(gòu)成，而極紫外光刻掩模則由超平坦硅基板和多層反射及吸收層構(gòu)成。通過(guò)曝光工具用光照射掩模，即可將電路圖案精確地轉(zhuǎn)移到光刻膠薄膜上。

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小，光掩模發(fā)揮著極其重要的作用。極紫外（EUV）曝光掩模是 半導(dǎo)體工藝的主流選擇，這些工藝對(duì)缺陷控制和薄膜厚度均勻性要求 高。然而，在10nm工藝級(jí)別之前，深紫外（DUV）曝光掩模也得到廣泛應(yīng)用。

光掩模應(yīng)用

光掩模廣泛應(yīng)用于需要精細(xì)圖案的行業(yè)。典型應(yīng)用如下所示。

1. 半導(dǎo)體

集成電路、存儲(chǔ)器和處理器的制造需要多層結(jié)構(gòu)，每一層都使用專用的光掩模形成。高精度掩模的使用確保了線寬的均勻性和對(duì)準(zhǔn)精度，從而實(shí)現(xiàn)了 器件的大規(guī)模生產(chǎn)。

2. 顯示屏

光掩模用于形成液晶面板和OLED顯示器的像素結(jié)構(gòu)。高分辨率顯示器需要精細(xì)、均勻的圖案，而掩模的質(zhì)量直接關(guān)系到圖像質(zhì)量和使用壽命。能夠在大尺寸基板上使用的光掩模在顯示器行業(yè)中不可缺。

3. 微機(jī)電系統(tǒng)

諸如加速度傳感器和壓力傳感器之類的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件需要在硅襯底上形成微小結(jié)構(gòu)。結(jié)合光刻和蝕刻工藝，可以利用光掩模技術(shù)高精度地制造出微小而復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。

4. 太陽(yáng)能電池

在硅基和薄膜太陽(yáng)能電池的制造過(guò)程中，光掩模用于形成電極圖案。均勻的圖案形成能夠提高發(fā)電效率，并提升電池的長(zhǎng)期可靠性。高精度掩模對(duì)于高效電池的開(kāi)發(fā)尤為重要。