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產(chǎn)品型號(hào)42英寸16面
品 牌DNK/大日本科研
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地蘇州市
更新時(shí)間:2026-04-16 11:06:58瀏覽次數(shù):90次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)進(jìn)口DNK大日本科研實(shí)驗(yàn)研究用曝光裝置
國(guó)內(nèi)代理 DNK大日本科研研究用曝光裝置
DNK大日本科研超大型基板用直立型曝光裝置
大日本科研(DNK)超大型基板用直立型曝光裝置?是一款專為超大尺寸顯示面板(如PDP、OLED、LCD等)設(shè)計(jì)的高精度、高穩(wěn)定性近接曝光設(shè)備,適用于42英寸16面等大級(jí)基板的?一次性均勻曝光?,廣泛應(yīng)用于顯示器件的量產(chǎn)制程中。
實(shí)現(xiàn)大型基板(42英寸16面)均勻曝光的近接曝光機(jī)。
主要特長(zhǎng):
·支撐高精度的獨(dú)自技術(shù)
<光學(xué)間隙傳感器>在非接觸的條件下,高速度和高精度地設(shè)定近接間隙。
<高速圖像處理技術(shù)>掩膜以及掩膜與基板的高精度對(duì)位。
穩(wěn)定搬送
直立配置掩膜臺(tái)和基板臺(tái),不需要補(bǔ)正因掩膜和掩膜臺(tái)以及基板臺(tái)的自身重量而造成的彎曲變形。
無(wú)塵措施
在無(wú)塵化要求更加嚴(yán)格的CF用曝光裝置等的經(jīng)驗(yàn)和設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,采取了減少驅(qū)動(dòng)部微粒子發(fā)生及考慮到氣流的無(wú)塵對(duì)策。
技術(shù):
1.能夠進(jìn)行大型基板的全面一次性曝光。
2.在曝光面上掩膜與基板為垂直構(gòu)造,不需要補(bǔ)正自重形成的彎曲變形。
3.使用本公司研發(fā)的非接觸光學(xué)間隙傳感器,能夠高速度和高精度地設(shè)定掩膜與基板問(wèn)的近接間隙。
4.使用非接觸邊緣傳感器,能夠?qū)暹M(jìn)行高精度的預(yù)對(duì)位。
5.利用獨(dú)自的高速圖像處理技術(shù),能夠?qū)ρ谀ひ约把谀づc基板的相對(duì)位置進(jìn)行高精度的對(duì)位。
6.采用低傾斜角的光學(xué)系統(tǒng),改善了轉(zhuǎn)印精度。
7.利用獨(dú)自的鏡面光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)全面且均勻的平行光照射。
8.本體與光源部分離的構(gòu)造,降低了對(duì)本體部的熱量影響。
DNK大日本科研超大型基板用直立型曝光裝置

該裝置采用?垂直式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?,將掩模與基板豎直放置,有效避免因自重導(dǎo)致的掩模、掩模臺(tái)及基板臺(tái)彎曲變形,無(wú)需額外補(bǔ)償校正,從而實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更穩(wěn)定的系統(tǒng)運(yùn)行。主機(jī)與光源單元分離,顯著降低熱傳導(dǎo)對(duì)主體的影響,提升熱分布均勻性與曝光重復(fù)精度。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
?全面一次性曝光?:支持超大型基板(如42英寸16面)的整板曝光,提升效率與圖形一致性
?非接觸式高精度間隙控制?:搭載自主研發(fā)的?光學(xué)間隙傳感器?,可在非接觸條件下高速、高精度設(shè)定掩模與基板間的近接間隙
?高速圖像處理對(duì)位技術(shù)?:實(shí)現(xiàn)掩模自身及掩模與基板之間的高精度自動(dòng)對(duì)位,支持多層疊加曝光需求
?低傾斜角光學(xué)系統(tǒng)?:采用獨(dú)特鏡面光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)全面且均勻的平行光照射,轉(zhuǎn)印精度更高
?無(wú)塵化設(shè)計(jì)?:基于CF(彩色濾光片)等高潔凈要求設(shè)備的經(jīng)驗(yàn),優(yōu)化氣流布局,減少驅(qū)動(dòng)部件微粒產(chǎn)生,滿足高等級(jí)無(wú)塵室標(biāo)準(zhǔn)
?熱管理優(yōu)化?:
可配置溫控機(jī)房,嚴(yán)格控制處理區(qū)域溫度環(huán)境
可選配?基板臺(tái)溫度控制系統(tǒng)?與?掩模冷卻系統(tǒng)?,防止因溫差引起的材料伸縮變形
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