日本進(jìn)口DNK大日本科研其他量產(chǎn)用曝光裝置

大日本科研（DNK）? 除了 MA-5111ML 和超大型基板用直立型曝光裝置外，還提供多款面向不同量產(chǎn)場(chǎng)景的高性能曝光設(shè)備，覆蓋化合物半導(dǎo)體、MEMS、FPD、電子紙、柔性基板等多個(gè)領(lǐng)域，滿足從中小尺寸到高密度封裝的多樣化生產(chǎn)需求。

1. ?化合物半導(dǎo)體曝光裝置（Mask Aligner）MA-4000?

專為化合物半導(dǎo)體（如GaAs、GaN、SiC）制造設(shè)計(jì)，適用于LED、LD、功率器件等高精度圖形轉(zhuǎn)印。

?核心特點(diǎn)?：

支持 ?2～6 英寸晶圓，可定制更大尺寸

采用?原創(chuàng)平行化機(jī)構(gòu)?，實(shí)現(xiàn)掩模與晶圓間高精度接近間隙控制（精度達(dá)±0.5μm）

?高速圖像處理對(duì)位技術(shù)?：支持薄型、翹曲或易碎晶圓（如石英、GaAs）的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)

?真空吸盤固定?：通過背面真空吸附實(shí)現(xiàn)晶圓高速、穩(wěn)定傳輸與曝光

可選?接觸曝光?（軟/硬接觸）與?近接曝光?模式，適配不同工藝需求

?適用領(lǐng)域?：

LED外延片電極制作

射頻器件、功率半導(dǎo)體光刻

微型傳感器、光電子器件量產(chǎn)

MA-4000產(chǎn)品詳情

2. ?G3～G5基板用直立型近接曝光裝置 MA-6701ML / MA-6801ML?

針對(duì)G3～G5代顯示基板（如TFT-LCD、OLED）開發(fā)，采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與曝光均勻性。

?核心參數(shù)?：

?基板尺寸?：MA-6701ML 支持 550×650mm，MA-6801ML 支持 650×750mm

?光源功率?：8kW 超高壓汞燈，確保大面積高均勻曝光

?垂直構(gòu)造?：掩模與基板豎直放置，消除自重彎曲，無需補(bǔ)償校正

?光學(xué)系統(tǒng)?：低傾斜角設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)印精度提升至傳統(tǒng)機(jī)型的2倍

?熱管理?：主機(jī)與光源分離，減少熱干擾；可選配?基板溫控?與?掩模冷卻系統(tǒng)?

?自動(dòng)化支持?：可搭載5片掩模庫，支持全自動(dòng)產(chǎn)線集成

 日本進(jìn)口DNK大日本科研其他量產(chǎn)用曝光裝置

把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊光刻圖形的曝光裝置。

主要特長(zhǎng)

可進(jìn)行基板整面一次性曝光的自動(dòng)近接曝光系統(tǒng)。

適合液晶、陶瓷電容器,熱感應(yīng)打印頭等,根據(jù)客戶需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。

附有自動(dòng)對(duì)位功能(MA-4000)