目錄:玉崎半導體（深圳）有限公司>>NIKKATO日陶 優(yōu)勢品牌>> YTZ-S-2.0NIKKATO日陶 HIP 熱等靜壓致密化、高硬度
| 價格區(qū)間 | 10萬-30萬 | 應用領域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
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NIKKATO日陶 HIP 熱等靜壓致密化、高硬度NIKKATO日陶 HIP 熱等靜壓致密化、高硬度
型號：YTZ®?S（Superior 增強級）
材質：Y?TZP（4.8 wt% Y?O?穩(wěn)定 ZrO?）
工藝核心：HIP 熱等靜壓（高溫高壓后處理，消除內部氣孔 / 微裂紋）
定位：日陶氧化鋯球頂級增強版；在標準級 YTZ® 之上，納米研磨 + 超低污染 + 超長壽命優(yōu)選。
ZrO?+HfO?：≥94.7%
Y?O?：≈4.8%（穩(wěn)定劑，維持四方相）
雜質總量：＜0.5%（嚴控）
Fe?O?：≤0.05%（低鐵不染色）
SiO?/Al?O?：≤0.2%
重金屬：＜10ppm
| 項目 | YTZ®?S（增強級，HIP） | YTZ®（標準級） | 優(yōu)勢說明 |
|---|---|---|---|
| 密度 | 6.0 g/cm3 | 6.0 g/cm3 | 高密度，研磨動能大 |
| 維氏硬度（HV10） | 1,280 | 1,250 | +2.4%，更耐磨 |
| 抗彎強度 | 1,200 MPa | 1,200 MPa | 高強度，抗破碎 |
| 斷裂韌性 | 6.0 MPa·m?·? | 6.0 MPa·m?·? | 高韌性，抗沖擊 |
| 球形度 | ≥99.5% | ≥99.0% | 圓度更高，流動更均勻 |
| 空磨磨耗率 | 0.3 ppm/h | 0.4 ppm/h | ?25%，壽命更長、污染更低 |
| 表面粗糙度 | Ra ≤ 0.05 μm | Ra ≤ 0.1 μm | 鏡面級光潔，無游離微粒 |
核心亮點：HIP 工藝讓內部零氣孔、零微裂紋，磨耗更低、球形度更高、表面更潔凈。
微珠（納米專用）：φ0.03/0.05/0.1/0.2 mm
常規(guī)（主流）：φ0.3/0.5/1/2/3/5/8/10 mm
大球（高粘度）：φ15/20/25 mm
公差：φ≤1mm ±0.01mm；φ>1mm ±0.05mm
外觀：高白鏡面、致密無氣孔、無雜質點
原料：日本東曹高純 Y?TZP 粉體（99.9% 級）
成型：冷等靜壓（CIP），密度均勻
預燒：1,450–1,500℃，形成四方相
關鍵工序：HIP 熱等靜壓：1,500℃+150MPa 氬氣，消除氣孔 / 微裂紋，致密度達理論值
后處理：超精密拋光 + 超聲波清洗 + 無塵包裝，表面無游離微粒、金屬溶出＜0.1ppm
HIP 致密：內部零氣孔、零微裂紋，強度 / 韌性 / 耐磨性全面提升。
超低磨耗 + 超長壽命：磨耗0.3 ppm/h，比標準 YTZ® 低 25%、比 93% 氧化鋁低 85%；連續(xù)使用≥10,000 小時（1.2 年免補充）。
納米級精密研磨：高球形度 + 鏡面表面，輕松實現(xiàn)D50≤50nm，粒度分布極窄、無團聚。
低污染：高純材質 + 超低磨耗 + 無游離微粒，不引入任何金屬離子 / 重金屬，適配鋰電、半導體、熒光粉等高純場景。
高速高負載穩(wěn)定：高硬高強高韌，12,000 rpm 高速 / 高固含量漿料不破碎、不掉渣，安全性高。
新能源鋰電：三元 / 磷酸鐵鋰正極、硅碳負極、納米導電劑、超薄隔膜涂層（納米分散 + 低金屬污染）
電子半導體：MLCC 納米鈦酸鋇、介電 / 壓電陶瓷、半導體封裝漿料、高純電子漿料
熒光 / 光學材料：LED 納米熒光粉、稀土發(fā)光材料、光學玻璃納米原料、激光材料（保白度、保發(fā)光效率）
精密化工 / 醫(yī)藥：醫(yī)藥納米原料藥、CMP 拋光液、高純顏料、油墨、食品添加劑
納米新材料：納米二氧化硅、納米氧化鋁、納米石墨烯分散、陶瓷 3D 打印納米粉體
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