目錄:玉崎半導(dǎo)體（深圳）有限公司>>HAMAMATSU濱松>>硅光電二極管>> S1226-44BKHAMAMATSU濱松 硅光電二極管
| 參考價(jià) | ￥1888-￥999999 | /件 |
參考價(jià)：￥1888 ~ ￥999999
更新時(shí)間：2026-06-26 16:33:28瀏覽次數(shù)：5評(píng)價(jià)
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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HAMAMATSU濱松 硅光電二極管
HAMAMATSU濱松 硅光電二極管
S1226 系列（超小型低暗電流）
型號(hào)：S1226-18BK（320~1100nm 普通玻璃窗口）、S1226-18BQ（190nm 深紫外石英窗口）
感光面：1.1×1.1 mm，TO-18 金屬封裝。
S1227 系列（紅外截止型，抑制近紅外干擾）
型號(hào)：S1227-33BR、S1227-33BQ（深紫外款），紫外可見(jiàn)光專用，隔絕紅外雜光，陶瓷封裝。
S1336 / S1337 大光敏面精密 PD
型號(hào)：S1336-5BK、S1337-5BK，感光面積大，適合微弱光采集。
S5870 / S2551 紫外監(jiān)測(cè)專用 PD
S5870 系列：UV 紫外線強(qiáng)度監(jiān)測(cè)；S2551 寬光譜陶瓷氣密器件。
S2386 全系列（工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)款）
主流型號(hào)：
S2386-18K（1.1×1.1mm）、S2386-44K（3.6×3.6mm）、S2386-5K（5.8×5.8mm）、S2386-8K（大光敏面）
封裝：TO-18、TO-5 金屬封裝。
S8729 微型 SIP 貼片塑封款
小型塑料封裝，體積縮小 75%，適合光電開(kāi)關(guān)、編碼器、小型模組；感光面 2×3.3mm，SIP 直插。
S1133 / S7686 人眼視覺(jué)匹配型（CIE 光度曲線）
S7686：光譜響應(yīng)高度貼合人眼可見(jiàn)光感知，用于照度計(jì)、色溫檢測(cè)、背光白平衡校準(zhǔn)。
百 MHz 級(jí)別：S5821、S5822、S1223-01
S1223-01：截止頻率 20MHz，TO-5 封裝，激光接收優(yōu)選。
GHz 超高速系列
型號(hào)：S5973、S5971、S3399，帶寬最高 1GHz，小光敏面，極低結(jié)電容，適合高速光纖信號(hào)探測(cè)。
S3008-02 二元分割光電二極管（位置探測(cè)）
S4204 四象限分割 PD（光斑定位）
S9345、S5434 多通道陣列，線性陣列適合分光光度計(jì)多通道采集。
帶光學(xué)濾光片內(nèi)置型：內(nèi)置紫外 / 可見(jiàn)光窄帶濾光片，簡(jiǎn)化光路；
真空密封款：石英窗口、無(wú)放氣陶瓷封裝，適配半導(dǎo)體真空腔體；
帶前置放大器集成模塊（C 系列模塊），集成電荷放大器，直接輸出電壓信號(hào)。
光譜可選范圍廣
普通玻璃窗口：320~1100nm；石英窗口可延伸至190nm 深紫外；紅外截止型號(hào)自動(dòng)濾除 > 1000nm 紅外雜散光，杜絕環(huán)境干擾。
噪聲等級(jí)極低
精密款暗電流低至 2~5 pA，零偏光伏模式下漏電流極小，適合極微弱熒光、紫外痕量檢測(cè)。
兩種工作模式自由切換
零偏（光伏模式）：噪聲低，弱光測(cè)量；
反向偏壓（光導(dǎo)模式）：結(jié)電容下降，響應(yīng)速度大幅提升，線性測(cè)量上限提高，適合強(qiáng)光、高速激光信號(hào)。
線性度優(yōu)異
光電流與入射光強(qiáng)保持線性關(guān)系，動(dòng)態(tài)范圍寬，滿足精密定量光度分析。
封裝齊全，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)
金屬 TO 密封、陶瓷氣密可長(zhǎng)期穩(wěn)定工作在 - 20℃~+80℃；塑料 SMD 適合大批量自動(dòng)化貼片生產(chǎn)。
感光面規(guī)格全覆蓋
光敏尺寸從 φ0.2mm 微小光斑→1×1mm→3.6×3.6mm→最大 12×12mm 大接收面，從小光斑激光到大范圍光場(chǎng)全覆蓋。
| 項(xiàng)目 | 常規(guī)參數(shù) | 精密低暗電流型號(hào) | 高速高頻型號(hào) |
|---|---|---|---|
| 光譜響應(yīng) | 190~1100 nm | 190~1100 nm | 320~1100 nm |
| 峰值波長(zhǎng) | 960 nm | 700~900 nm | 800~900 nm |
| 響應(yīng)度 | 0.45~0.6 A/W | 0.35~0.5 A/W | 0.4~0.5 A/W |
| 暗電流 Id | 50~2000 pA | 2~10 pA | 50~200 pA |
| 截止頻率 | 10~50 MHz | 1~20 MHz | 最高 1000 MHz |
| 最大反向電壓 | 20 V / 30 V | 30 V | 20 V |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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