超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究
報(bào)告背景
以Si、Ge元素為代表的第一代半導(dǎo)體材料及以GaAs, GaP, InP等化合物為代表的第二代半導(dǎo)體材料,隨著科學(xué)技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,已不能滿(mǎn)足現(xiàn)在電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO寬帶隙半導(dǎo)體為代表的的第三代化合物半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展起來(lái)。超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁(AlN)和氧化鎵(GaO)基材料, 亦稱(chēng)第四代半導(dǎo)體, 對(duì)其研究和探索正于熱點(diǎn)和前沿。
2026年6月5日上午,美國(guó)肯尼索州立大學(xué)兼職教授, 中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)榮退教授、廣西大學(xué)杰出教授馮哲川,受邀為武漢頤光科技有限公司的工程師們帶來(lái)《超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究》的主題報(bào)告。介紹馮教授團(tuán)隊(duì)多年來(lái)的應(yīng)用橢偏光譜于AlN和GaO基與傅里葉變換紅外(FTIR)反射光譜學(xué)于氮化鎵和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半導(dǎo)體化合物和結(jié)構(gòu)的研究和成果。
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