半導(dǎo)體動(dòng)力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)

1. 載流子動(dòng)力學(xué)（材料級(jí)）

• 瞬態(tài)光電壓 / 光電流（TPV/TPC）、時(shí)間分辨熒光（TRPL）、飛行時(shí)間（TOF）遷移率。

• 深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）、電荷抽?。–E）、線性增壓載流子（CELIV）。

• 解析參數(shù)：載流子壽命、遷移率、擴(kuò)散長(zhǎng)度、缺陷態(tài)密度、界面復(fù)合速率。

2. 功率器件動(dòng)態(tài)特性（器件級(jí)）

• 雙脈沖測(cè)試（DPT）：開(kāi)通 / 關(guān)斷時(shí)間、上升 / 下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、反向恢復(fù)特性。

• 動(dòng)態(tài) Rds (on)、柵極電荷 Qg、短路耐受能力（SCSOA）、體二極管退化測(cè)試。

• 適配：MOSFET/IGBT/SiC-MOSFET/GaN-HEMT，覆蓋 600V–10kV、10A–1kA。

圖片僅為部分展示

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