MLA 150 無掩模光刻系統(tǒng)采用快速、靈活、易于使用的解決方案取代了傳統(tǒng)技術(shù)，具有最高的性能。通過使用數(shù)字鏡像設(shè)備（DMD）作為動(dòng)態(tài)掩模，MLA 150 克服了物理光掩模的缺點(diǎn)。從數(shù)字設(shè)計(jì)到圖案化的基底只需幾分鐘，使您的用戶能夠加速量子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、微光學(xué)和生命科學(xué)等領(lǐng)域的研究。

MLA 150 無掩模光刻系統(tǒng)特點(diǎn)：

非常適合多用戶設(shè)施

不到 1 小時(shí)的培訓(xùn)即可獲得用戶資格

快速準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)

250 納米正面對(duì)準(zhǔn)、背面對(duì)準(zhǔn)、對(duì)準(zhǔn)誤差補(bǔ)償

靈活

可在同一系統(tǒng)上同時(shí)安裝兩臺(tái)激光器，對(duì)整個(gè)光刻膠范圍進(jìn)行曝光

不同的曝光模式可用于快速或高質(zhì)量的結(jié)構(gòu)化

額外的真空吸盤可用于小基板、箔或翹曲基板等具有挑戰(zhàn)性的樣品

運(yùn)行成本低，易于維護(hù)

激光壽命為 10-20 年

直寫光刻技術(shù)

沒有與面具相關(guān)的成本、工作量或安全風(fēng)險(xiǎn)

灰度模式

對(duì)于簡單的 2.5D 結(jié)構(gòu)

曝光質(zhì)量

邊緣粗糙度 60 nm；CD 均勻度 100 nm；翹曲/波紋襯底自動(dòng)對(duì)焦補(bǔ)償

最小特征尺寸

提供兩種不同的寫入模式，最小特征尺寸可達(dá) 0.45 μm

方便用戶

專門設(shè)計(jì)的軟件和工作流程使工具操作快速簡便

曝光速度

使用 405 納米激光在 <16 分鐘內(nèi)完成 150 毫米晶片的切割