PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠...
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板...
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均...
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用...
nano ANNEAL 真空退火系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano ANNEAL 真空退火系統(tǒng)針對(duì)二維材料和晶圓在受控氣氛下的熱處理進(jìn)行了優(yōu)化?；拿娉现卧谖枧_(tái)頂板上，平臺(tái)中央置于一個(gè)不銹鋼高真空腔體內(nèi)，艙內(nèi)配備適...
nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng)，專為石墨烯和2D材料的高精度加工設(shè)計(jì)。nanoETCH具備高精度射頻源和毫瓦級(jí)功率控制，能實(shí)現(xiàn)逐層刻蝕及層內(nèi)缺陷制...
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種石墨烯CVD系統(tǒng)，能夠精確控制壓力、溫度和氣體化學(xué)等條件，這對(duì)成功生產(chǎn)石墨烯至關(guān)重要。
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 080 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)提供高密度腔體，非常適合熱、LTE和電子束蒸發(fā)技術(shù)，需要更長(zhǎng)的工作距離以實(shí)現(xiàn)最佳均勻性。
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 070 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)采用前置箱式腔室，針對(duì)直徑最大11英寸的亞態(tài)進(jìn)行磁控管濺射優(yōu)化。
MiniLab 026 PVD物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MiniLab 026 PVD物理氣相沉積系統(tǒng)是緊湊型落地式真空蒸發(fā)器，配備易于取用的“蛤殼"腔室。適用于金屬、介質(zhì)和有機(jī)物的蒸發(fā)或?yàn)R射沉積技術(shù)。
nano PVD-S10A物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano PVD-S10A物理氣相沉積系統(tǒng)是一款臺(tái)式系統(tǒng)，優(yōu)化用于金屬和絕緣材料的射頻和直流磁控管濺射。體積緊湊如電子顯微鏡涂層機(jī)，但配備先進(jìn)硬件以實(shí)現(xiàn)研究級(jí)效...
nano PVD-T15A物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano PVD-T15A物理氣相沉積系統(tǒng)是一種臺(tái)式蒸發(fā)系統(tǒng)，優(yōu)化用于沉積各種高熔點(diǎn)金屬和揮發(fā)性有機(jī)物。體積緊湊如電子顯微鏡涂層機(jī)，但配備優(yōu)良硬件以實(shí)現(xiàn)研究級(jí)效...
NEXUS PVDi 物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
單靶 NEXUS PVDi 物理氣相沉積系統(tǒng)為多種薄膜沉積應(yīng)用提供了最大靈活性。NEXUS PVD支持200毫米，具備先進(jìn)的工藝能力、出色的均勻性和多種沉積模式...
SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)開發(fā)并設(shè)計(jì)適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極和一個(gè)全部控制...
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)具有堅(jiān)固的設(shè)計(jì)、可靠性和靈活的軟硬件。該系統(tǒng)開發(fā)了多種工藝，例如高品質(zhì)氮化硅和氧化硅層沉積。該系統(tǒng)包括...
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)代表了感應(yīng)耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業(yè)領(lǐng)域的前沿地位，用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅...
SI PEALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SI PEALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)能夠在低溫下均勻且貼合地涂層敏感基底和層。樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，無需紫外線或離子轟擊。
Beneq C2R ALD空間原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Beneq C2R ALD空間原子層沉積系統(tǒng)將等離子體增強(qiáng)原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個(gè)全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子...
Genesis ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Genesis ALD原子層沉積系統(tǒng)適用于電池、太陽能和柔性電子設(shè)備的功能性ALD涂層。Genesis ALD非常適合涂覆任何卷狀基材，并適用于多種功能應(yīng)用。
Beneq P1500 ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Beneq P1500 ALD原子層沉積系統(tǒng)是我們最大的ALD系統(tǒng)，專門用于涂層大片板材和復(fù)雜零件。它還設(shè)計(jì)用于提高批量較小部件的吞吐量。我們的客戶使用P150...
Beneq P800 ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Beneq P800 ALD原子層沉積系統(tǒng)專門設(shè)計(jì)用于涂覆復(fù)雜形狀的大件或大批量的小件。我們的客戶使用P800用于光學(xué)涂層、半導(dǎo)體設(shè)備部件的防腐蝕涂層，以及用于...
Beneq P400A ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Beneq P400A ALD原子層沉積系統(tǒng)專為不同類型的基材進(jìn)行優(yōu)化批次尺寸的涂層而設(shè)計(jì)——體積足夠大以提供顯著容量，同時(shí)又足夠小以保持批次間優(yōu)異的均勻性和短...
Beneq Transform® 300 ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Beneq Transform? 300 ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款高度多功能的制造平臺(tái)，面向?qū)Ｗ⒂?CIS、電源、微型 OLED/LED、優(yōu)良封裝及其他 Mt...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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