PRO 75/100 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PRO 75/100 MBE分子束外延系統(tǒng)是用于超高真空條件下材料研究的沉積工具，基底直徑可達(dá)4英寸。它們是靈活的系統(tǒng)平臺(tái)，適用于多種MBE應(yīng)用，如二維材料生長(zhǎng)...
EVO 25/50 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EVO 25/50 MBE分子束外延系統(tǒng)是用于超高真空條件下探勘材料研究的沉積工具，適用于直徑不超過(guò)2英寸的基底。它們是靈活的系統(tǒng)平臺(tái)，適用于多種MBE應(yīng)用，如...
MBE-1000 cluster 分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE-1000 cluster 分子束外延系統(tǒng)，可進(jìn)行5×3''，4×4''，單片6'', 單片8''襯底外延生長(zhǎng)。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)傳樣和生長(zhǎng)，非常適用于器...
MBE-2000 分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MBE-2000 分子束外延系統(tǒng)是一款批量生產(chǎn)型分子束外延系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn) 9×4 英寸、4×6 英寸等多種規(guī)格襯底的外延生長(zhǎng)，具備樣品傳送、束流標(biāo)定、外延生長(zhǎng)等全...
HMF-MBE-200 強(qiáng)磁場(chǎng)MBE外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
HMF-MBE-200 強(qiáng)磁場(chǎng)MBE外延系統(tǒng)配置不同類(lèi)型的蒸發(fā)源，適用于強(qiáng)磁場(chǎng)下多種材料體系研究，可生長(zhǎng)金屬、磁性薄膜及半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)，適合互聯(lián)多種原位量測(cè)系統(tǒng)。...
Compact 21MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Compact 21MBE分子束外延系統(tǒng)是一個(gè)靈活且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 MBE 系統(tǒng)，其功能經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，以滿(mǎn)足材料研究和試點(diǎn)生產(chǎn)中苛刻的規(guī)格要求。
GEN2000 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GEN2000 MBE分子束外延系統(tǒng)提供的吞吐量、更長(zhǎng)的活動(dòng)周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 HBT 和 pHEMT 等無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備大批量生產(chǎn)以及需...
GEN200 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GEN200 MBE分子束外延系統(tǒng)是當(dāng)市場(chǎng)上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產(chǎn) MBE 系統(tǒng)。該系統(tǒng)在用于泵浦激光器、VCSEL 和 HBT 等設(shè)備的生長(zhǎng)中提...
GEN20 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GEN20 MBE分子束外延系統(tǒng)是一款超靈活的工具，設(shè)計(jì)可針對(duì)III-V型及新興材料進(jìn)行配置，包括需要電子束技術(shù)集成的應(yīng)用。該系統(tǒng)集成了生產(chǎn)設(shè)計(jì)技術(shù)，支持可選的...
GENxcel R&D MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GENxcel R&D MBE分子束外延系統(tǒng)具備易于使用的手動(dòng)傳輸系統(tǒng)、12個(gè)源端口和現(xiàn)代電子設(shè)備，集成于單一框架設(shè)計(jì)中，可實(shí)現(xiàn)大的實(shí)驗(yàn)室占地面積效率。
GEN10 MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GEN10 MBE分子束外延系統(tǒng)是經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平臺(tái)中最靈活的集群工具系統(tǒng)，支持最多三個(gè)可配置的材料特定增長(zhǎng)模塊。這使得系統(tǒng)利用率高，使多位研究人員能夠同時(shí)使用系統(tǒng)...
GENxplor R&D MBE分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
GENxplor R&D MBE分子束外延系統(tǒng)是一款面向化合物半導(dǎo)體研發(fā)市場(chǎng)的集成式分子束外延設(shè)備，以緊湊單框架設(shè)計(jì)和高工藝靈活性著稱(chēng)，適用于多種前沿材料的原子...
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備 參考價(jià)：面議
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)，適用于III/V半導(dǎo)體和Si加工工藝，具備高均勻性和優(yōu)重復(fù)性的蝕刻工藝。其主要特點(diǎn)包括預(yù)真空鎖loadlo...
CL4514型氧化擴(kuò)散設(shè)備 參考價(jià)：面議
CL4514型氧化擴(kuò)散設(shè)備是各大院校、科研機(jī)構(gòu)、實(shí)驗(yàn)室中的典型熱處理設(shè)備，用于微電子系集成電路、分立器件、電力電子、光電器件、光導(dǎo)纖維等學(xué)科中進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退...
LZD系列離子注入系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
LZD系列離子注入系統(tǒng)配置一套高能氣體離子源和一套高能金屬離子源，可實(shí)現(xiàn)不同氣體離子和不同金屬離子的單元素、多元素或混合元素注入。配置移動(dòng)式加熱和水冷樣品平臺(tái)，...
Beneq TFS 200原子層沉積ALD 參考價(jià)：面議
Beneq TFS 200原子層沉積ALD為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)設(shè)計(jì)，是一款高度多功能的原子層沉積（ALD）平臺(tái)，在真正的 ALD 模式下提供出色的膠片質(zhì)量。 系統(tǒng)的...
AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備，以精準(zhǔn)化學(xué)刻蝕去除晶圓材料，具備高精度、低污染優(yōu)勢(shì)，適配 4-12 英寸晶圓，可用于優(yōu)良封裝、化合物半導(dǎo)體等多工藝場(chǎng)景。
NCE-200R原子層沉積ALD系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
NCE-200R原子層沉積ALD系統(tǒng)，基于表面自限制反應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度薄膜生長(zhǎng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、MEMS、光伏、儲(chǔ)能等前沿領(lǐng)域。該系統(tǒng)核心優(yōu)勢(shì)在于超高沉積...
UVC Series紫外線(xiàn)固化爐 參考價(jià)：面議
UVC Series紫外線(xiàn)固化爐外形緊湊，能對(duì)應(yīng)G4.5～G10.5范圍內(nèi)的Panel規(guī)格，設(shè)備提供的UV照射光強(qiáng)充足均勻，能準(zhǔn)確量化監(jiān)控，并實(shí)現(xiàn)光路照度調(diào)節(jié)閉...
CVI Series裝載卸載設(shè)備 參考價(jià)：面議
CVI Series裝載卸載設(shè)備是連接工藝設(shè)備（EQ）和智能化物流倉(cāng)儲(chǔ)系統(tǒng)（STK），使設(shè)備工藝制程順利完成的系統(tǒng)。Indexer由Port和Fence兩部分組...
QL 氣路測(cè)量控制管線(xiàn)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
QL 氣路測(cè)量控制管線(xiàn)系統(tǒng)是七星流量計(jì)開(kāi)發(fā)的氣路輸送系統(tǒng)的解決方案，該產(chǎn)品通過(guò)對(duì)氣路原理圖的設(shè)計(jì)、加工和測(cè)試，以隔膜閥、調(diào)壓閥、壓力傳感器、過(guò)濾器、MFC等零部...
DS300 壓力式質(zhì)量流量控制器 參考價(jià)：面議
DS300 壓力式質(zhì)量流量控制器是針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)發(fā)的一款適用于半導(dǎo)體裝備的氣體質(zhì)量流量控制器。DS300采用基于壓力原理的流量傳感器技術(shù)和高精度壓電閥控制技術(shù)...
CS330數(shù)字式質(zhì)量流量控制器 參考價(jià)：面議
CS330數(shù)字式質(zhì)量流量控制器是七星華創(chuàng)流量計(jì)研發(fā)的數(shù)字型產(chǎn)品，流量可達(dá)200SLM（氮?dú)猓?，并可?shí)現(xiàn)數(shù)字/模擬控制模式；產(chǎn)品可用于測(cè)量各種氣體的流量，包括惰性...
WS-ALN100150倒片機(jī)設(shè)備 參考價(jià)：面議
WS-ALN100150倒片機(jī)設(shè)備中包含1臺(tái)6軸機(jī)械手組件，設(shè)備前端設(shè)有6個(gè)Loadport工位，每3個(gè)對(duì)應(yīng)1個(gè)腔室。設(shè)有2個(gè)Buffer工位，每個(gè)Buffer...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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