VPG+1400 FPD 有掩模光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
VPG+1400 FPD 有掩模光刻系統(tǒng)是全球光掩膜制造商用于大批量生產(chǎn)的體積圖案發(fā)生器，具有突破性的效率和優(yōu)異的質(zhì)量。它們是我們專為顯示器行業(yè)設(shè)計(jì)的最大系統(tǒng)，...
VPG+ 800 有掩模光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
VPG+ 800 有掩模光刻系統(tǒng)是為 i-line 光刻膠多用途掩膜制造而設(shè)計(jì)的多功能的光刻系統(tǒng)。這些系統(tǒng)擅長(zhǎng)在從小型到大型的各種基板上創(chuàng)建高分辨率圖形，能夠處...
DWL 2000 GS 激光直寫光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DWL 2000 GS 激光直寫光刻系統(tǒng)是高速且靈活的高分辨率圖案生成器。這些系統(tǒng)針對(duì)工業(yè)級(jí)灰度光刻進(jìn)行了優(yōu)化，設(shè)計(jì)用于對(duì)集成電路、MEMS、微光學(xué)和微流控器件...
MLA 300 無(wú)掩膜光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MLA 300 無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)專為大批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)，在工業(yè)光刻領(lǐng)域具有優(yōu)異的靈活性和精確性。它支持最大 300 x 300 毫米的晶圓，能動(dòng)態(tài)適應(yīng)表面變化，無(wú)需...
NanoFrazor 納米制造光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
NanoFrazor 納米制造光刻系統(tǒng)是一款開創(chuàng)性的商業(yè)化熱掃描探針光刻（t-SPL）系統(tǒng)，旨在推動(dòng)各類應(yīng)用領(lǐng)域中的前沿研究與創(chuàng)新。無(wú)論是探索量子器件、一維/二...
VPG 300 DI 無(wú)掩模投影光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
VPG 300 DI 無(wú)掩模投影光刻系統(tǒng)是一款高性能直寫光刻系統(tǒng)，旨在將創(chuàng)新周期從數(shù)周縮短至數(shù)小時(shí)。VPG 300 DI 結(jié)合了傳統(tǒng) i-line 步進(jìn)器的精度...
MLA 150 無(wú)掩模光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MLA 150 無(wú)掩模光刻系統(tǒng)采用快速、靈活、易于使用的解決方案取代了傳統(tǒng)技術(shù)，具有最高的性能。通過使用數(shù)字鏡像設(shè)備（DMD）作為動(dòng)態(tài)掩模，MLA 150 克服...
µMLA 無(wú)掩模光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
μMLA 無(wú)掩模光刻系統(tǒng)是一款基于穩(wěn)健的 μPG 平臺(tái)打造的先進(jìn)桌面式無(wú)掩模光刻系統(tǒng)，它非常適合作為研發(fā)和快速原型制作的入門級(jí)工具，能夠在多種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高精度微...
MA300 Gen3 掩模光刻機(jī) 參考價(jià)：面議
MA300 Gen3 掩模光刻機(jī)是 SUSS 用于 200 mm 和 300 mm 晶圓的旗艦掩模對(duì)準(zhǔn)機(jī)。它專為先進(jìn)封裝而設(shè)計(jì)，將亞微米對(duì)準(zhǔn)與靈活的頂部、底部和...
MA200 Gen3 掩模光刻機(jī) 參考價(jià)：面議
MA200 Gen3 掩模光刻機(jī)專用于200 毫米以下晶圓和方形基板的大批量自動(dòng)化生產(chǎn)。它將創(chuàng)新對(duì)準(zhǔn)技術(shù)與智能自動(dòng)化相結(jié)合，是微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)、射頻 (...
MA12 Gen3 掩模光刻機(jī) 參考價(jià)：面議
MA12 Gen3 掩模光刻機(jī)是一款半自動(dòng)化掩模對(duì)準(zhǔn)機(jī)，適用于最大 300 毫米的晶圓，將成熟的光刻技術(shù)與先進(jìn)的壓印處理技術(shù)相結(jié)合。它為 MEMS、先進(jìn)封裝和研...
MA/BA Gen4 系列有掩模光刻機(jī) 參考價(jià)：面議
MA/BA Gen4 系列有掩模光刻機(jī)代表了標(biāo)準(zhǔn)或先進(jìn)應(yīng)用的半自動(dòng)化掩模對(duì)準(zhǔn)機(jī)和壓印處理的兩個(gè)平臺(tái)。該系統(tǒng)將久經(jīng)考驗(yàn)的 SUSS' 光刻技術(shù)與全新的自動(dòng)化和人機(jī)...
MJB4有掩膜光刻機(jī) 參考價(jià)：面議
MJB4有掩膜光刻機(jī)通過 MO 曝光光學(xué)系統(tǒng)?、多種曝光模式和模塊化升級(jí)提供可靠的光刻技術(shù)。它具有亞微米分辨率和 UV-NIL 選項(xiàng)，為高級(jí)研發(fā)和試生產(chǎn)提供了靈...
Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性...
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設(shè)備結(jié)合了針對(duì)GaN和AlGaN層優(yōu)化的全集成Etchpoint?刻蝕深度監(jiān)控解決方案，可為p-GaN HEMT和凹...
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設(shè)備旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的靈活性以滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、 優(yōu)良封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各...
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設(shè)備是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設(shè)備為得到更為優(yōu)秀的刻蝕效果提供了智能解決方案，憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)...
PlasmaPro 800 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 800 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活...
PlasmaPro 80 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保...
PlasmaPro 100 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。
UNIPOL-1203 CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
UNIPOL-1203 CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)，適用于CMP平坦化和平滑化工藝技術(shù)， 整機(jī)研磨部分采用防腐材料，耐化學(xué)腐蝕，配置自動(dòng)滴料器和精密磨拋控制儀，全自...
CAPSTONE CS200-ma CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
CAPSTONE CS200-ma CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)是 Axus Technology 推出的下一代 CMP 處理工具，具有市場(chǎng)上優(yōu)良的晶圓拋光性能，適用...
CAPSTONE CS200-ia CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
CAPSTONE CS200-ia CMP化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)是 Axus Technology 的下一代 CMP 處理工具，具有市場(chǎng)上優(yōu)良的晶圓拋光性能，適用于 ...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
1